Los módulos emplean la misma tecnología que la generación anterior que alcanzó la capacidad máxima de 64GB. Los nuevos módulos son para fines empresariales.

 
Samsung anunció el viernes el comienzo de la producción en masa de sus primeros módulos de memoria RAM con capacidad de 128GB. 

Los módulos utilizan la tecnología de empaque through silicon via (TSV por sus siglas) que conecta verticalmente la memoria RAM. Samsung dice que estos módulos están fabricados para servidores y empresas, así que no esperes ver una computadora con una memoria RAM tan poderosa. 

"Estamos orgullosos que la producción a volumen de nuestro DRAM TSV de 128GB de bajo consumo y alta velocidad permitirá que nuestros clientes y socios en las TI ofrezcan nuevas soluciones con mejoras dramáticas en eficiencia y escalabilidad por su inversión", dijo en el comunicado Joo Sun Choi, vicepresidente de ventas y marketing de memorias en Samsung Electronics. 



Samsung dice que su nuevo módulo de 128GB está compuesto por 144 chips DDR4 (o la tasa de datos) en los que se colocan 36 paquetes de 4GB DRAM y cada uno tiene 20 nanómetros empaquetados con la tecnología TSV. 

El resultado de los nuevos módulos de 128GB se traduce a una velocidad de transferencia de 2,400Mbps. Samsung informó que ya trabajan en la siguiente generación de sus módulos de memoria RAM y esperan que las próximas generaciones sean de mayor capacidad y mejore su velocidad, alcanzando tasas de transferencia de 2,667Mbps y 3,200Mbps.

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